规范用词砷化铟
英文翻译indium arsenide
名词定义由ⅢA族元素In和ⅤA族元素As化合而成的半导体材料。分子式为InAs。室温下禁带宽度为0.35~0.46eV，属间接跃迁型能带结构。
所属学科材料科学技术 > 半导体材料 > 化合物半导体材料
名词审定材料科学技术名词审定委员会
见载刊物《材料科学技术名词》 科学出版社
公布时间2011年